Infineon 800V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R900P7ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB758.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB811.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 3,900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 620THB37.91THB758.20
640 - 1240THB36.963THB739.26
1260 +THB36.394THB727.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2518
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPD80R900P7ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

800V CoolMOS P7

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

900mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15nC

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Infineon 800V CoolMOS P7 Series MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 6A Continuous Drain Current - IPD80R900P7ATMA1


This MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for power conversion and energy-efficient switching in demanding environments. It operates across a wide temperature range and is supplied in a surface-mount package suited to compact board layouts, making it appropriate for industrial and power-electronics applications where robust voltage handling is required.

Features and Benefits:


• 800V drain rating enables high-voltage system switching
• 6A continuous drain current supports moderate load currents
• 900mΩ low on-resistance reduces conduction losses
• 15nC typical gate charge allows faster gate-drive response
• 45W maximum power dissipation handles substantial thermal stress
• Gate-source tolerance up to 20V accommodates common gate-drive voltages

Applications


• Ideal for power supplies in high-voltage converters
• Used for switch-mode power-supply stage switching
• Suitable for industrial inverter front-ends
• Can be used for high-voltage motor-drive circuits
• Used with compact surface-mount assemblies on PCBs

What temperature extremes can it withstand in operation?


It is specified to function between -55°C and 150°C, covering low-temperature and elevated-junction applications.

How is it mounted to a PCB and what package does it use?


It is supplied in a TO-252 package intended for surface-mount assembly to save board area.

What conduction behaviour should I expect under load?


The device exhibits an on-resistance up to 900mΩ, influencing conduction losses and thermal design for continuous currents up to 6A.

What gate-drive requirements are necessary for safe operation?


The gate-source voltage rating is ±20V, and typical total gate charge is 15nC, informing your driver capability and switching energy budget.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง