Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R280P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 214-4419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80R280P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB161.50
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,714.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,974.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | THB74.29 | THB3,714.50 | - |
| 100 - 150 | THB72.675 | THB3,633.75 | THB161.50 |
| 200 + | THB71.06 | THB3,553.00 | THB646.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80R280P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | 800V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 101W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 15.93mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series 800V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 101W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 15.93mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R280P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAN80R450P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R900P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R900P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K0P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD80R2K4P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 IPP80R1K2P7XKSA1
