Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R280P7XKSA1
- RS Stock No.:
- 214-4419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80R280P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB3,416.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,655.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 400 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB68.334 | THB3,416.70 |
| 100 - 150 | THB66.848 | THB3,342.40 |
| 200 + | THB65.363 | THB3,268.15 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-4419
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP80R280P7XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 800V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 101W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.93mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 800V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 101W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.93mm | ||
Height 4.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 800V Cool MOS P7 super junction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on fly back applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.
It has fully optimised portfolio
It has lower assembly cost
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80R280P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA80R900P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPAN80R450P7XKSA1
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon 800V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252