Infineon 700V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 6.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA70R750P7SXKSA1

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB560.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB600.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 260 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 +THB28.044THB560.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2485
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IPA70R750P7SXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-220

Series

700V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

750mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Power Dissipation Pd

21.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon 700V Cool MOS™ P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to super junction technologies used today. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs. The latest CoolMOS™P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Extremely low losses due to very low FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Excellent thermal behaviour

Integrated ESD protection diode

Low switching losses (Eoss)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง