Infineon 700V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R360P7SAUMA1

RS Stock No.:: 214-4392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R360P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon 700V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R360P7SAUMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 640 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB659.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB706.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

2,480 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
20 - 620	THB32.997	THB659.94	-
640 - 1240	THB32.172	THB643.44	2%
1260 +	THB31.677	THB633.54	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4392
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD70R360P7SAUMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	700V
	Package Type	TO-252
	Series	700V CoolMOS P7
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	360mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.4nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	59.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.65mm
	Width	6.42mm
	Standards/Approvals	No
	Height	2.35mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 700V
	Package Type TO-252
	Series 700V CoolMOS P7
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 900mV
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.4nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 59.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.65mm
	Width 6.42mm
	Standards/Approvals No
	Height 2.35mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD70R360P7SAUMA1

Infineon 700V CoolMOS P7 Series MOSFET, 700V Drain Source Voltage, 12.5A Continuous Drain Current - IPD70R360P7SAUMA1

This MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switch-mode power conversion and other power-handling roles. It is a surface-mount component intended for use where robust voltage blocking and switching capability are needed in compact assemblies. The device operates across a wide temperature range and supports typical gate-drive voltages for power electronics applications.

Features and Benefits:

• 700V blocking capability enables high-voltage designs
• 12.5A continuous drain current supports substantial load currents
• RDS(on) 360mΩ minimises conduction losses under load
• Power dissipation 59.5W allows sustained thermal handling
• Gate charge 16.4nC reduces switching energy losses
• VGS rating ±16V permits standard gate-drive margins

Applications

• Suitable for high-voltage SMPS primary switches
• Ideal for industrial power converter stages
• Used with flyback and forward topologies in supplies
• Can be used for power-factor-correction front ends
• Appropriate for high-voltage testing and lab setups

What thermal range can the device tolerate in operation?

It is specified to operate from -40°C up to 150°C, allowing use in demanding thermal environments.

What package should I expect for board layout considerations?

The part is supplied in a TO-252 surface-mount package with three pins for straightforward PCB footprint integration.

What is the forward conduction characteristic under switching?

The forward voltage is 0.9V which influences conduction-loss calculations during on-state operation.

How should gate-drive design account for switching behaviour?

Use the typical gate charge of 16.4nC to size driver current and switching timing for desired transition speeds.