Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSR315PH6327XTSA1

RS Stock No.:: 215-2469
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSR315PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSR315PH6327XTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB580.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB620.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB11.60	THB580.00
750 - 1450	THB11.31	THB565.50
1500 +	THB11.136	THB556.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2469
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSR315PH6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	620mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SIPMOS
	Package Type	SC-59
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	800mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	0.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 620mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SIPMOS
	Package Type SC-59
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 0.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - BSR315PH6327XTSA1

The Infineon SIPMOS® Small-Signal-Transistor P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -20V maximum drain source voltage with SOT-23 package type. The Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. The BSS84P is a p-channel enhancement mode MOSFET in a small surface mount package with superior switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications.

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

Fast switching

Dv/dt rated

Pb-free lead-plating

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSR315PH6327XTSA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง