Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 95 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC052N08NS5ATMA1
- RS Stock No.:
- 215-2461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB605.47
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB647.85
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 4,800 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | THB60.547 | THB605.47 |
| 1250 - 2490 | THB59.034 | THB590.34 |
| 2500 + | THB58.125 | THB581.25 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2461
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC052N08NS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 95A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | SuperSO | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 95A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type SuperSO | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOSTM5Power-Transistor has 80V maximum drain source voltage with SuperSO8 5x6 package type. It has potential application as telecom server, solar, low voltage drives, light electric vehicles and adapter. It is Optimized for high performance SMPS, e.g. sync .rec and superior thermal resistance.
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
R DS(on) reduction of up to 44%
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC034N03LSGATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC054N04NSGATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC094N06LS5ATMA1