Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- RS Stock No.:
- 215-2458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC034N03LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB77,480.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,905.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 10,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB15.496 | THB77,480.00 |
| 10000 - 15000 | THB15.031 | THB75,155.00 |
| 20000 + | THB14.58 | THB72,900.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2458
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC034N03LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | SuperSO | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 63W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type SuperSO | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 63W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS™3 Power-MOSFET series has 30V maximum drain source voltage with SuperSO8 5x6 package type. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel; Logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Superior thermal resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC034N03LSGATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO