Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 47 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*

THB82,270.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB88,030.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
5000 - 5000THB16.454THB82,270.00
10000 - 15000THB15.96THB79,800.00
20000 +THB15.482THB77,410.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-2464
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC094N06LS5ATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

47A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SuperSO

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

36W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.4nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 47A Maximum Continuous Drain Current - BSC094N06LS5ATMA1


This MOSFET is an N-channel enhancement-mode transistor intended for high-current switching in surface-mounted assemblies. It operates across a wide temperature range for demanding environments and suits power-conversion roles where a moderate drain-source voltage rating and low conduction losses are required.

Features and Benefits:


• 60V drain rating enables mid-voltage power switching
• 47A continuous current supports high-load applications
• 13.4mΩ Rds(on) reduces conduction power loss
• 36W maximum dissipation permits substantial power handling
• 9.4nC typical gate charge optimises switching energy
• 20V gate tolerance allows flexible drive voltages

Applications


• Suitable for synchronous buck regulator stages
• Ideal for motor-driver half-bridge assemblies
• Used in server power-management front ends
• Can be used for battery protection and distribution
• Suitable for high-current DC-DC converters

What temperature extremes can it withstand during operation?


It functions over a wide thermal range from -55°C up to 150°C, allowing use in both cold-start and elevated-temperature environments.

How is it physically packaged for assembly?


The device is supplied in a SuperSO surface-mount package with eight pins for PCB mounting and automated assembly.

What switching behaviour can designers expect during gate drive?


With a typical gate charge of 9.4nC, it offers a balance between switching speed and drive energy, enabling efficient transitions when driven from common gate drivers.

Is the device optimised for low-voltage drop in conduction?


Yes

the low drain-source resistance of 13.4mΩ minimises voltage drop under load, reducing heat generation during continuous operation.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง