Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 47 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- RS Stock No.:
- 215-2464
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB82,270.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB88,030.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 10,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB16.454 | THB82,270.00 |
| 10000 - 15000 | THB15.96 | THB79,800.00 |
| 20000 + | THB15.482 | THB77,410.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-2464
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC094N06LS5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 47A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SuperSO | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 47A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SuperSO | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 47A Maximum Continuous Drain Current - BSC094N06LS5ATMA1
This MOSFET is an N-channel enhancement-mode transistor intended for high-current switching in surface-mounted assemblies. It operates across a wide temperature range for demanding environments and suits power-conversion roles where a moderate drain-source voltage rating and low conduction losses are required.
Features and Benefits:
• 60V drain rating enables mid-voltage power switching
• 47A continuous current supports high-load applications
• 13.4mΩ Rds(on) reduces conduction power loss
• 36W maximum dissipation permits substantial power handling
• 9.4nC typical gate charge optimises switching energy
• 20V gate tolerance allows flexible drive voltages
• 47A continuous current supports high-load applications
• 13.4mΩ Rds(on) reduces conduction power loss
• 36W maximum dissipation permits substantial power handling
• 9.4nC typical gate charge optimises switching energy
• 20V gate tolerance allows flexible drive voltages
Applications
• Suitable for synchronous buck regulator stages
• Ideal for motor-driver half-bridge assemblies
• Used in server power-management front ends
• Can be used for battery protection and distribution
• Suitable for high-current DC-DC converters
• Ideal for motor-driver half-bridge assemblies
• Used in server power-management front ends
• Can be used for battery protection and distribution
• Suitable for high-current DC-DC converters
What temperature extremes can it withstand during operation?
It functions over a wide thermal range from -55°C up to 150°C, allowing use in both cold-start and elevated-temperature environments.
How is it physically packaged for assembly?
The device is supplied in a SuperSO surface-mount package with eight pins for PCB mounting and automated assembly.
What switching behaviour can designers expect during gate drive?
With a typical gate charge of 9.4nC, it offers a balance between switching speed and drive energy, enabling efficient transitions when driven from common gate drivers.
Is the device optimised for low-voltage drop in conduction?
Yes
the low drain-source resistance of 13.4mΩ minimises voltage drop under load, reducing heat generation during continuous operation.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC094N06LS5ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC034N03LSGATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO
