Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SuperSO BSC034N03LSGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB408.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB437.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 14,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
20 - 1240THB20.444THB408.88
1260 - 2480THB19.933THB398.66
2500 +THB19.626THB392.52

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-2459
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BSC034N03LSGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SuperSO

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS™3 Power-MOSFET series has 30V maximum drain source voltage with SuperSO8 5x6 package type. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, Datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour, as well as increased battery life. Available in half bridge configuration (power stage 5x6).

Fast switching MOSFET for SMPS

Optimized technology for DC/DC converters

Qualified according to JEDEC1) for target applications

N-channel; Logic level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Superior thermal resistance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง