Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
- RS Stock No.:
- 133-9881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC009NE2LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB343.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB368.05
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 1245 | THB68.79 | THB343.95 |
| 1250 - 2495 | THB67.072 | THB335.36 |
| 2500 + | THB66.038 | THB330.19 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 133-9881
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC009NE2LS5IATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | SuperSO8 5 x 6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.62V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | |
| Length | 5.49mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type SuperSO8 5 x 6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.62V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS, JESD22, JEDEC J-STD20, IEC61249-2-21 | ||
Length 5.49mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC300N20NM6ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L020ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L025ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Half Bridge OptiMOS-TM6 Type N-Channel Power MOSFET 40 V N, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 IAUC100N04S6L014ATMA1