Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1

RS Stock No.:: 214-8970
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC010N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB468.82

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB501.635

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 4,050 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 1245	THB93.764	THB468.82
1250 - 2495	THB91.422	THB457.11
2500 +	THB90.016	THB450.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-8970
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC010N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	275A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	OptiMOS
	Package Type	TDSON
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.05mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	87nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd	139W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Width	6.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 275A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series OptiMOS
	Package Type TDSON
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Power Dissipation Pd 139W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Width 6.1 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC010N04LSIATMA1

The Infineon New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behaviour for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

Monolithic integrated Schottky-like diode

Optimized for synchronous rectification

100% avalanche tested

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง