Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 275 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1
- RS Stock No.:
- 214-8970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB328.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB351.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 1245 | THB65.634 | THB328.17 |
| 1250 - 2495 | THB63.994 | THB319.97 |
| 2500 + | THB63.01 | THB315.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8970
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC010N04LSIATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 275A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 87nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 139W | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.35mm | |
| Width | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 275A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 139W | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.35mm | ||
Width 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Drain Source Voltage, 275A Continuous Drain Current - BSC010N04LSIATMA1
This MOSFET is a high‑current switching component designed for demanding power applications. It operates across a very wide ambient temperature range and is intended for surface‑mounted PCB implementations in Compact assemblies. The device features an enhancement‑mode N‑channel and supports gate‑drive voltages appropriate for robust switching control.
Features and Benefits:
• Low conduction resistance delivers efficient high‑current switching
• High continuous drain current enables substantial load driving
• 40 V drain‑source rating permits medium‑voltage system use
• 139 W dissipation supports elevated power handling
• 87 nC typical gate charge allows predictable switching energy
• 20 V gate‑source tolerance provides headroom for gate drive
• High continuous drain current enables substantial load driving
• 40 V drain‑source rating permits medium‑voltage system use
• 139 W dissipation supports elevated power handling
• 87 nC typical gate charge allows predictable switching energy
• 20 V gate‑source tolerance provides headroom for gate drive
Applications
• Suitable for high‑current DC motor drives
• Used for power distribution in battery systems
• Ideal for synchronous rectification in converters
• Can be used for server and telecoms power stages
• Used with inverter modules requiring robust switches
• Used for power distribution in battery systems
• Ideal for synchronous rectification in converters
• Can be used for server and telecoms power stages
• Used with inverter modules requiring robust switches
What temperature extremes can it withstand in operation?
It is rated for continuous use from −55 °C up to +175 °C.
What package and mounting style does it use for PCB assembly?
It is supplied in a TDSON package intended for surface mounting.
How many electrical connections are available for layout and routing?
The device uses an 8‑pin configuration for power and gate connections.
What gate drive behaviour should designers expect during switching?
Designers should plan for a typical gate charge of 87 nC when calculating drive losses and switching times.
What physical footprint should be allowed when placing the component?
The package measures 5.35 mm in length, 6.1 mm in width and 1.2 mm in height.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC010N04LSIATMA1
- Infineon OptiMOS-TM5 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC025N08NM5LF2ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOSTM N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7L009ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC011N03LSIATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSZ065N03LSATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
