Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 340 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 214-8954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFS3004TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB121,015.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB129,486.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB151.269 | THB121,015.20 |
| 1600 - 2400 | THB146.731 | THB117,384.80 |
| 3200 + | THB142.329 | THB113,863.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-8954
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AUIRFS3004TRL
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 340A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.75mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 380W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 340A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.75mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 380W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.83mm | ||
Length 10.67mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Automotive Qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 AUIRFS3004TRL
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220 IRFB3004PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-220 IRFS3004TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263