Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 214-9008
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB024N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB76,715.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB82,085.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 25 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB76.715 | THB76,715.00 |
| 2000 - 3000 | THB74.414 | THB74,414.00 |
| 4000 + | THB72.181 | THB72,181.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 214-9008
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB024N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
100% avalanche tested
Qualified according to JEDEC for target applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB024N10N5ATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB010N06NATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET & Diode 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB011N04LGATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB025N10N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 150 V N, 7-Pin TO-263