N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB036N12N3GATMA1

RS Stock No.:: 754-5428
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB036N12N3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB036N12N3GATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each

THB214.24

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB229.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

985 มีของพร้อมจัดส่งภายใน (In stock for delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย
1 - 249	THB214.24
250 - 499	THB208.87
500 +	THB205.66

RS Stock No.:: 754-5428
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB036N12N3GATMA1
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Infineon

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	180 A
Maximum Drain Source Voltage	120 V
Package Type	D2PAK (TO-263)
Series	OptiMOS™ 3
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	7
Maximum Drain Source Resistance	3.6 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	300 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Length	10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs	158 nC @ 10 V
Width	9.45mm
Number of Elements per Chip	1
Transistor Material	Si
Height	4.57mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 180 A, 120 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB036N12N3GATMA1

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง