Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 64 A, 60 V N, 8-Pin SuperSO BSC065N06LS5ATMA1

RS Stock No.:: 214-4323
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC065N06LS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 64 A, 60 V N, 8-Pin SuperSO BSC065N06LS5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB418.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB448.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 4,440 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 1245	THB27.916	THB418.74
1260 - 2490	THB27.218	THB408.27
2505 +	THB26.799	THB401.99

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4323
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC065N06LS5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SuperSO
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	9.2mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	46W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Width	6.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SuperSO
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 9.2mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 46W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Width 6.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC065N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 64A Maximum Continuous Drain Current - BSC065N06LS5ATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel semiconductor device designed for switching and power-management roles in compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature range for demanding environments and is supplied in an 8-pin SuperSO surface-mount package suited to dense board layouts. The device supports mid-voltage power conversion tasks where rapid switching and low conduction losses are required.

Features and Benefits:

• Very low on-resistance 9.2mΩ reduces conduction losses
• High continuous drain current 64A enables heavy load handling
• Drain-source voltage rating 60V supports mid-voltage systems
• Gate-charge 10nC permits fast switching transitions
• Maximum power dissipation 46W allows sustained power transfer
• Gate-source withstand 20V accommodates common gate-drive voltages

Applications

• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for motor-drive stages in industrial controllers
• Used with battery-management circuits for high-current switching
• Can be used for DC-DC converters in telecoms equipment
• Suited to server and computing power-regulation boards

What thermal extremes can it withstand during operation?

It is specified to function from -55°C up to 150°C ambient conditions, enabling use in both cold-start and high-temperature environments.

How does the package support PCB assembly and layout?

The SuperSO surface-mount format with an 8-pin footprint facilitates automated placement and conservative thermal paths for soldered board cooling.

What switching behaviour can designers expect under gate drive?

With a typical gate-charge of 10nC, switching transitions are rapid while keeping gate-drive current requirements moderate for most driver ICs.

How does the device suit high-current applications on compact boards?

Its combination of 64A continuous current capability and low on-resistance allows designers to deliver substantial current within constrained board space while limiting I²R losses.