Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 8-Pin SuperSO BSC014N04LSIATMA1

RS Stock No.:: 214-4319
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 195 A, 40 V, 8-Pin SuperSO BSC014N04LSIATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB468.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB501.735

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 3,745 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 1245	THB93.782	THB468.91
1250 - 2495	THB91.438	THB457.19
2500 +	THB90.032	THB450.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 214-4319
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-39-396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSIATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	195A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SuperSO
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	55nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	1.2mm
	Length	5.35mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 195A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SuperSO
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 1.2mm
	Length 5.35mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BSC014N04LSIATMA1

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 195A Maximum Continuous Drain Current - BSC014N04LSIATMA1

This MOSFET is a high-current switching transistor designed for surface-mounted power applications where low conduction loss and robust thermal endurance are required. It operates across a wide temperature span and is suitable for demanding electronic environments that need efficient N-channel switching at moderate drain-source voltages.

Features and Benefits:

• Very low Rds(on) 2mΩ reduces conduction losses during high current
• Maximum continuous drain current 195A supports heavy loads
• Maximum power dissipation 96W enables sustained power handling
• Maximum drain-source voltage 40V allows moderate-voltage system use
• Typical gate charge 55nC provides predictable switching energy
• Maximum gate-source voltage 20V protects gate from overdrive

Applications

• Suitable for DC-DC converters in power distribution systems
• Ideal for motor-drive stages requiring high continuous current
• Used with battery-management modules needing low conduction loss
• Can be used for synchronous rectification in power supplies
• Appropriate for high-current load switching on PCBs

What thermal extremes can it tolerate in operation?

It is specified to operate from -55°C up to 150°C, allowing use in low-temperature and elevated-temperature environments without derating beyond device limits.

How does the package support PCB assembly and cooling?

The device is supplied in a SuperSO 8-pin surface-mount package with minimal mounting height to facilitate compact PCB layouts and efficient PCB-conduction cooling paths.

What type of conduction channel does it use and how does that affect switching?

It employs an N-channel topology, which offers low on-resistance for efficient conduction and conventional gate-drive polarity for common driver circuits.

What forward voltage performance can be expected during conduction?

The forward voltage is typically 0.7V under specified conditions, contributing to overall power-loss calculations in system design.