Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR626LDP-T1-RE3
- RS Stock No.:
- 210-4957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB647.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB692.965
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 5,680 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB129.526 | THB647.63 |
| 750 - 1495 | THB126.292 | THB631.46 |
| 1500 + | THB124.35 | THB621.75 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 210-4957
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 204A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiDR626LDP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.9mm | |
| Height | 0.51mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 204A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiDR626LDP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.9mm | ||
Height 0.51mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD18502Q5B
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin VSON
- Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR626ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR626ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR626ADP-T1-RE3
- Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3