Toshiba TK099V65Z Type N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 5-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 206-9729
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK099V65Z,LQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB491,030.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB525,402.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB196.412 | THB491,030.00 |
| 5000 - 7500 | THB190.52 | THB476,300.00 |
| 10000 + | THB184.804 | THB462,010.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-9729
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK099V65Z,LQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | TK099V65Z | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8 mm | |
| Height | 0.5mm | |
| Length | 8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series TK099V65Z | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8 mm | ||
Height 0.5mm | ||
Length 8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Low drain-source on-resistance 0.08 ?
Storage temperature -55 to 150°C
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba TK099V65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementLQ(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS1D7N Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS005N Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5H663NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5H663NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS5H663NLT1G