Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5
- RS Stock No.:
- 171-2526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK31V60W5
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB491.15
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB525.53
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 624 | THB245.575 | THB491.15 |
| 626 - 1248 | THB239.435 | THB478.87 |
| 1250 + | THB235.75 | THB471.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TK31V60W5
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 109mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 240W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 105nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.85mm | |
| Length | 8mm | |
| Width | 8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 109mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 240W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 105nC | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.85mm | ||
Length 8mm | ||
Width 8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น
- COO (Country of Origin):
- CN
Switching Voltage Regulators
Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)
Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)
Easy to control Gate switching
Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VF(S
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1X(S
- Toshiba TK099V65Z Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 5-Pin DFN
- Toshiba TK099V65Z Type N-Channel MOSFET 650 V EnhancementLQ(S
- onsemi Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
