Toshiba Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-2526
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
TK31V60W5
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

109mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

105nC

Maximum Power Dissipation Pd

240W

Forward Voltage Vf

-1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

No

Height

0.85mm

Automotive Standard

No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

COO (Country of Origin):
CN
Switching Voltage Regulators

Fast reverse recovery time: trr = 135 ns (typ.)

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.087 Ω(typ.)

Easy to control Gate switching

Enhancement mode: Vth = 3 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.5 mA)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง