STMicroelectronics STO67N60DM6 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6
- RS Stock No.:
- 206-8631
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STO67N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB382.63
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB409.414
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 60 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 448 | THB191.315 | THB382.63 |
| 450 - 898 | THB186.535 | THB373.07 |
| 900 + | THB183.66 | THB367.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-8631
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STO67N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STO67N60DM6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 59mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 9.8 mm | |
| Length | 11.48mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STO67N60DM6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 59mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 9.8 mm | ||
Length 11.48mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STO67N60DM6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF R6086YNZC17
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SiHG33N60EF-GE3
- onsemi SUPERFET V Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi SUPERFET V Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL099N60S5
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK
- Infineon IPL60R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R075CFD7AUMA1