onsemi SUPERFET V Type N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB101,737.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB108,859.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
450 - 450THB226.084THB101,737.80
900 +THB222.378THB100,070.10

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
230-9088
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTHL099N60S5
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

SUPERFET V

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

99mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

48nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.82 mm

Height

41.07mm

Standards/Approvals

No

Length

15.87mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor series SUPERFET V MOSFET is the fifth generation high voltage super−junction (SJ) MOSFET family from ON Semiconductor. SUPERFET V delivers best−in−class FOMs (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600 V SUPERET V series provides design benefits through reduced conduction and switching losses, while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120 V/ns and high body diode dVDS/dt ratings at 50 V/ns. Consequently, the SUPERFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. It helps manage EMI issues and allows for easier design implementation with excellent system efficiency.

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg= 48 nC)

Low switching loss

Low Time Related Output Capacitance (Typ. Coss(tr.)= 642 pF)

Low switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

650 V @ TJ = 150°C

Typ. RDS(on) = 79.2 m Ω

100% Avalanche Tested

RoHS Compliant

Internal Gate Resistance: 6.9 Ω

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง