onsemi Power Type N-Channel MOSFET, 150 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 205-2431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS1D8N02P1E
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB131,037.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB140,211.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 6,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB43.679 | THB131,037.00 |
| 6000 - 9000 | THB42.729 | THB128,187.00 |
| 12000 + | THB41.78 | THB125,340.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS1D8N02P1E
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Series | Power | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 3.2mm | |
| Width | 3.2 mm | |
| Height | 0.7mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Series Power | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 3.2mm | ||
Width 3.2 mm | ||
Height 0.7mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power33 series 25V N-Channel MOSFET is produced using advanced process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Maximum drain current rating is 150A
Drain to source resistance rating is 1.3mohm
Small footprint for compact design
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low QG and capacitance to minimize driver losses
100% UIL tested
Package is Power 33 (PQFN8)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Power Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTTFS1D8N02P1E
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTTFS2D1N04HLTWG
- onsemi PowerTrench Power Clip Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN-8 NTTFD1D8N02P1E
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN-8
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFS015N15MC