onsemi Power Type N-Channel MOSFET, 150 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTTFS1D8N02P1E
- RS Stock No.:
- 205-2432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS1D8N02P1E
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB646.17
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB691.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 8,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB64.617 | THB646.17 |
| 750 - 1490 | THB63.00 | THB630.00 |
| 1500 + | THB62.032 | THB620.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 205-2432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTTFS1D8N02P1E
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | Power | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.2mm | |
| Width | 3.2 mm | |
| Height | 0.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type PQFN | ||
Series Power | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.2mm | ||
Width 3.2 mm | ||
Height 0.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power33 series 25V N-Channel MOSFET is produced using advanced process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Maximum drain current rating is 150A
Drain to source resistance rating is 1.3mohm
Small footprint for compact design
Low RDS(on) to minimize conduction losses
Low QG and capacitance to minimize driver losses
100% UIL tested
Package is Power 33 (PQFN8)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Power Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Power Clip Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PQFN-8 NTTFD1D8N02P1E
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTTFS2D1N04HLTWG
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN-8
- onsemi UltraFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN-8 FDMS2572