onsemi Type N-Channel MOSFET, 224 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NVMFSC1D6N06CL
- RS Stock No.:
- 195-2675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFSC1D6N06CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB1,467.58
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,570.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
เพิ่มอีก 20 ชิ้น เพื่อรับการจัดส่งฟรี
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,990 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB146.758 | THB1,467.58 |
| 750 - 1490 | THB143.089 | THB1,430.89 |
| 1500 + | THB140.887 | THB1,408.87 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFSC1D6N06CL
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 224A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 91nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 5.9mm | |
| Width | 5 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 224A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 91nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.95mm | ||
Length 5.9mm | ||
Width 5 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead, dual cool package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
PPAP Capable
Application
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Reverser Battery protection
Switching power supplies
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTMFS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN