STMicroelectronics STN6N60M2 Type N-Channel MOSFET, 5.5 A, 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- RS Stock No.:
- 204-9958
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN6N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB48,024.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB51,384.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB12.006 | THB48,024.00 |
| 8000 - 12000 | THB11.646 | THB46,584.00 |
| 16000 + | THB11.297 | THB45,188.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 204-9958
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STN6N60M2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | STN6N60M2 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.8mm | |
| Height | 1.8mm | |
| Width | 6.48 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series STN6N60M2 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.8mm | ||
Height 1.8mm | ||
Width 6.48 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (Coss) profile
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STN6N60M2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 STN6N60M2
- Nexperia BUK98150 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Nexperia BUK98150 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BUK98150-55A/CUF
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon BSR Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin SOT-223