STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 203-3432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STD18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB140,155.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB149,965.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB56.062 | THB140,155.00 |
| 5000 - 7500 | THB54.38 | THB135,950.00 |
| 10000 + | THB52.749 | THB131,872.50 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 203-3432
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STD18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | M6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 230mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.4 mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Height | 10.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series M6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 230mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.4 mm | ||
Length 6.6mm | ||
Height 10.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. Previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, is built by STMicroelectronics. This combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252 STD18N60M6
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252 STD16N60M6
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 5-Pin PowerFlat HV
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 5-Pin PowerFlat HV STL19N60M6
- STMicroelectronics Mdmesh M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Mdmesh M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STL47N60M6
- Infineon IPD50R Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252