STMicroelectronics Mdmesh M6 Type N-Channel MOSFET, 31 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STL47N60M6
- RS Stock No.:
- 201-4499
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL47N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB495.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB530.474
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | THB247.885 | THB495.77 |
| 750 - 1498 | THB241.69 | THB483.38 |
| 1500 + | THB237.97 | THB475.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 201-4499
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL47N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 31A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | Mdmesh M6 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52.2nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 0.95 mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Height | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 31A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series Mdmesh M6 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52.2nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 0.95 mm | ||
Length 8.1mm | ||
Height 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel 600 V, 70 mO typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package has a excellent switching performance thanks to the extra driving source pin.
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Mdmesh M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VX(S
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R099P7XKSA1
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O