STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin TO-252 STD16N60M6
- RS Stock No.:
- 203-3431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD16N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB368.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB394.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,485 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 620 | THB73.796 | THB368.98 |
| 625 - 1245 | THB71.952 | THB359.76 |
| 1250 + | THB70.846 | THB354.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 203-3431
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD16N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | M6 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 320mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 10.1mm | |
| Length | 6.6mm | |
| Width | 2.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series M6 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 10.1mm | ||
Length 6.6mm | ||
Width 2.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. Previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, is built by STMicroelectronics. This combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Low gate input resistance
100% avalanche tested
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-252 STD18N60M6
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 5-Pin PowerFlat HV
- STMicroelectronics M6 Type N-Channel MOSFET 600 V, 5-Pin PowerFlat HV STL19N60M6
- STMicroelectronics Mdmesh M6 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STL47N60M6
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M2 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252