onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB1,291.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,382.236

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 630 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 112THB645.905THB1,291.81
114 - 224THB629.76THB1,259.52
226 +THB620.08THB1,240.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
202-5699
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTH4L040N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Maximum Power Dissipation Pd

319W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

3.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

22.74mm

Length

15.8mm

Width

5.2 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 29 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, Boost inverter, Industrial Motor Drive, PV Charger.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง