STMicroelectronics Single Mdmesh M6 1 N-Channel, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF18N60M6
- RS Stock No.:
- 192-4652
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
- RS Stock No.:
- 192-4652
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STF18N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Series | Mdmesh M6 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current (Id) | 13 A | |
| Maximum Drain Source Voltage (Vds) | 600 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Pin Count | 3 | |
| Package Type | TO-220FP | |
| Automotive Standard | No | |
| Forward Voltage (Vf) | 1.6 V | |
| Height | 16.4 mm | |
| Length | 10.4 mm | |
| Maximum Drain Source Resistance (Rds) | 280 mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage (Vgs) | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C | |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | 25 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mount Type | Through Hole, Through Hole | |
| Standards/Approvals | No | |
| Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs | 16.8 nC | |
| Width | 4.6 mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Transistor Configuration Single | ||
Series Mdmesh M6 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current (Id) 13 A | ||
Maximum Drain Source Voltage (Vds) 600 V | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Pin Count 3 | ||
Package Type TO-220FP | ||
Automotive Standard No | ||
Forward Voltage (Vf) 1.6 V | ||
Height 16.4 mm | ||
Length 10.4 mm | ||
Maximum Drain Source Resistance (Rds) 280 mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150 °C | ||
Maximum Power Dissipation (Pd) 25 W | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
Mount Type Through Hole, Through Hole | ||
Standards/Approvals No | ||
Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 16.8 nC | ||
Width 4.6 mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Single Mdmesh M6 1 N-Channel 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF18N60M6
- STMicroelectronics Single MDmesh 1 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
- STMicroelectronics Single MDmesh M2 1 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP7N60M2
- STMicroelectronics Single MDmesh M2 1 N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB6N60M2
- STMicroelectronics Single MDmesh K5 2.5 A 8-Pin PowerFLAT STL4N80K5
- STMicroelectronics Mdmesh M6 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STL47N60M6
- STMicroelectronics MDmesh 13 A 3-Pin TO-220 STP13NK60Z
- STMicroelectronics MDmesh 13 A 3-Pin TO-220 STP13NK60ZFP
