STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2
- RS Stock No.:
- 234-8896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH200N10WF7-2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB200.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB214.41
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 880 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB200.38 |
| 10 - 99 | THB196.19 |
| 100 - 249 | THB192.48 |
| 250 - 499 | THB188.76 |
| 500 + | THB185.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-8896
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STH200N10WF7-2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | H2PAK-2 | |
| Series | STH200 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 340W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 93nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type H2PAK-2 | ||
Series STH200 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 340W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 93nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Best-in-class SOA capability
High current surge capability
Extremely low on-resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STH200 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH200N10WF7-2
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin H2PAK STH310N10F7-2
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2
- STMicroelectronics SiC MOSFET Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH13N120K5-2AG
- STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH2N120K5-2AG
- STMicroelectronics STripFET H7 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin H2PAK