Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

RS Stock No.:: 200-6839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIDR638DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB151,278.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB161,868.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB50.426	THB151,278.00
6000 - 9000	THB48.913	THB146,739.00
12000 +	THB47.445	THB142,335.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6839
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIDR638DP-T1-RE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.16mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	204nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.15 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.61mm
	Length	6.15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.16mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 204nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.15 mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.61mm
	Length 6.15mm
	Automotive Standard No

Document- SIDR638DP-T1-RE3

The Vishay SIDR638DP-T1-RE3 is a N-channel 40V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR638DP-T1-RE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง