Vishay E Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA690N60E-GE3
- RS Stock No.:
- 200-6806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHA690N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 50 ชิ้น)*
THB2,550.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,729.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB51.015 | THB2,550.75 |
| 100 - 150 | THB49.485 | THB2,474.25 |
| 200 + | THB48.00 | THB2,400.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6806
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiHA690N60E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 700mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.7 mm | |
| Height | 13.8mm | |
| Length | 10.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series E | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.7 mm | ||
Height 13.8mm | ||
Length 10.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SiHA690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF080N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP690N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP080N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263