onsemi FDMC Type N-Channel MOSFET, 22 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMC007N08LCDC
- RS Stock No.:
- 178-4558
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC007N08LCDC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB695.12
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB743.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,960 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB69.512 | THB695.12 |
| 750 - 1490 | THB67.775 | THB677.75 |
| 1500 + | THB66.732 | THB667.32 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4558
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMC007N08LCDC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 22A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | FDMC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Width | 3.4 mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 22A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PQFN | ||
Series FDMC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Width 3.4 mm | ||
Height 0.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on on-state resistance and yet maintain in class soft body diode
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A
Max rDS(on) = 11.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A
5 V Drive Capable
50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
Lowers switching noise/EMI
MSL1 robust package design
Dualcool capable package
Applications
Primary DC−DC MOSFET
Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC
Motor Drive
Solar
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDMC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementLQ(S
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi NTTF Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PQFN
