onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- RS Stock No.:
- 195-2498
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMS4D5N08LC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB148,434.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB158,823.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB49.478 | THB148,434.00 |
| 6000 - 9000 | THB48.402 | THB145,206.00 |
| 12000 + | THB47.327 | THB141,981.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2498
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMS4D5N08LC
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 116A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | PQFN | |
| Series | FDMS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 113.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 5.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 116A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type PQFN | ||
Series FDMS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 113.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5 mm | ||
Height 1.05mm | ||
Length 5.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with soft body diode.
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 37 A
Max rDS(on) = 6.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 29 A
50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
Lowers Switching Noise/EMI
Logic Level drive Capable
Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D0N12C
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN NVMFSC1D6N06CL
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PQFN NTMFS015N15MC
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PQFN