onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H840NLWFT1G

RS Stock No.:: 195-2671
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD6H840NLWFT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H840NLWFT1G

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB1,147.74

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,228.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,170 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
15 - 360	THB76.516	THB1,147.74
375 - 735	THB74.603	THB1,119.05
750 +	THB73.455	THB1,101.83

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 195-2671
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD6H840NLWFT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Minimum Operating Temperature	175°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Width	5.1 mm
	Height	1.05mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Minimum Operating Temperature 175°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Width 5.1 mm
	Height 1.05mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMFD6H840NLWFT1G

Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

NVMFS5C410NLWF − Wettable Flank Option

Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

Application

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H840NLWFT1G

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง