onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 195-2670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*
THB70,000.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB74,901.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | THB46.667 | THB70,000.50 |
| 3000 - 4500 | THB45.652 | THB68,478.00 |
| 6000 + | THB44.638 | THB66,957.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 74A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Minimum Operating Temperature | 175°C | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.1mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 74A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Minimum Operating Temperature 175°C | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.1mm | ||
Height 1.05mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
NVMFS5C410NLWF − Wettable Flank Option
Enhanced Optical Inspection
PPAP Capable
Application
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H840NLWFT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD6H840NLT1G
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN