onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

RS Stock No.:: 195-2670
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD6H840NLWFT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1500 ชิ้น)*

THB70,000.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB74,901.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
1500 - 1500	THB46.667	THB70,000.50
3000 - 4500	THB45.652	THB68,478.00
6000 +	THB44.638	THB66,957.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 195-2670
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NVMFD6H840NLWFT1G
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	DFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	32nC
	Minimum Operating Temperature	175°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	No
	Length	6.1mm
	Height	1.05mm
	Width	5.1 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 74A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type DFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC
	Minimum Operating Temperature 175°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals No
	Length 6.1mm
	Height 1.05mm
	Width 5.1 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMFD6H840NLWFT1G

Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm)

Compact Design

Low RDS(on)

Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance

Minimize Driver Losses

NVMFS5C410NLWF − Wettable Flank Option

Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

Application

Reverser Battery protection

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)

onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง