onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC

RS Stock No.:: 195-2499
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS4D5N08LC
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB636.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB681.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB63.688	THB636.88
750 - 1490	THB62.096	THB620.96
1500 +	THB61.141	THB611.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 195-2499
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDMS4D5N08LC
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	116A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	FDMS
	Package Type	PQFN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	113.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.85mm
	Width	5 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.05mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 116A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series FDMS
	Package Type PQFN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 113.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.85mm
	Width 5 mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.05mm
	Automotive Standard No

Datasheet FDMS4D5N08LC

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with soft body diode.

Shielded Gate MOSFET Technology

Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 37 A

Max rDS(on) = 6.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 29 A

50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers

Lowers Switching Noise/EMI

Logic Level drive Capable

Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 116 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง