onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET, 67 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D0N12C
- RS Stock No.:
- 178-4409
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMS4D0N12C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB1,025.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,096.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,950 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 740 | THB102.505 | THB1,025.05 |
| 750 - 1490 | THB99.941 | THB999.41 |
| 1500 + | THB98.404 | THB984.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4409
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDMS4D0N12C
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 67A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Series | FDMS | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 106W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6 mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.05mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 67A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Series FDMS | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 106W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6 mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.05mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Shielded Gate MOSFET Technology
Max rDS(on) = 4.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 67 A
Max rDS(on) = 8.0 mΩ at VGS = 6 V, ID = 33 A
50% Lower Qrr than Other MOSFET Suppliers
Lowers Switching Noise/EMI
MSL1 Robust Package Design
Applications:
This product is general usage and suitable for many different applications.
End Products:
AC-DC and DC-DC Power Supplies
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- onsemi FDMS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMS4D5N08LC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDPF045N10A
- onsemi NVMFS5H663NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi NVMFS5H663NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS5H663NLT1G
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4L NTH4L023N065M3S
