onsemi NCV8406 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 195-2460
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV8406BDTRKG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB75,240.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB80,507.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีสต็อกจำกัด
- 2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB30.096 | THB75,240.00 |
| 5000 - 7500 | THB29.442 | THB73,605.00 |
| 10000 + | THB28.787 | THB71,967.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2460
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV8406BDTRKG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NCV8406 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 14V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.25mm | |
| Width | 6.22mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NCV8406 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 14V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.25mm | ||
Width 6.22mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
NCV8406 is a three terminal protected Low-Side Smart Discrete device. The protection features include overcurrent, overtemperature, ESD and integrated Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. This device offers protection and is suitable for harsh automotive environments.
Short Circuit Protection
Thermal Shutdown with Automatic Restart
Over Voltage Protection
Integrated Clamp for Inductive Switching
ESD Protection
dV/dt Robustness
Analog Drive Capability (Logic Level Input)
These Devices are Faster than the Rest of the NCV Devices
NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Applications
Switch a Variety of Resistive, Inductive and Capacitive Loads
Can Replace Electromechanical Relays and Discrete Circuits
Automotive / Industrial
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NCV8406 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin TO-252 NCV8406BDTRKG
- ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM R6007END3 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007END3TL1
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementRVQ(S
- Infineon CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- ROHM R60 Type N-Channel MOSFET 7 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6007RND3TL1