STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
192-4659
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STL45N60DM6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

8.1mm

Height

0.9mm

Width

8.1 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง