STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL45N60DM6

RS Stock No.:: 192-4899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STL45N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL45N60DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB423.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB452.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 64 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 748	THB211.50	THB423.00
750 - 1498	THB206.21	THB412.42
1500 +	THB203.035	THB406.07

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 192-4899
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STL45N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	PowerFLAT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	110mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	160W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Length	8.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	8.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type PowerFLAT
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 160W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Length 8.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 8.1 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL45N60DM6

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง