STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL45N60DM6
- RS Stock No.:
- 192-4899
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STL45N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB423.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB452.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 64 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | THB211.50 | THB423.00 |
| 750 - 1498 | THB206.21 | THB412.42 |
| 1500 + | THB203.035 | THB406.07 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 192-4899
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STL45N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 110mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 44nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8.1 mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 110mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8.1 mm | ||
Length 8.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL26N60DM6
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL36N55M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT STL57N65M5
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L60 Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 5-Pin PowerFLAT ST8L60N065DM9