STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 5.5 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- RS Stock No.:
- 192-4656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL10N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB118,860.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB127,170.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 11 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB39.62 | THB118,860.00 |
| 6000 - 9000 | THB38.431 | THB115,293.00 |
| 12000 + | THB37.278 | THB111,834.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 192-4656
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STL10N60M6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 660mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 48W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 660mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 48W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6mm | ||
Height 0.95mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The new MDmesh™ M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.
Reduced switching losses
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate input resistance
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL10N60M6
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel STL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel STL160 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel STL N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL170N4LF8
- STMicroelectronics N-Channel STL160 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL160N6LF7