STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N
- RS Stock No.:
- 151-952
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13NM60N
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB268.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB287.165
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,260 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB53.676 | THB268.38 |
| 50 - 95 | THB51.012 | THB255.06 |
| 100 - 495 | THB47.204 | THB236.02 |
| 500 - 995 | THB43.494 | THB217.47 |
| 1000 + | THB41.876 | THB209.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-952
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD13NM60N
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | MDmesh II | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.36Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6.6 mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series MDmesh II | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.36Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6.6 mm | ||
Height 2.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV STL3NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh M5 Type N-Channel MOSFET 710 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD15N65M5
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MDmesh II Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-263