Vishay SUM60020E Type N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60020E-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5107
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-38-856
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM60020E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB958.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,025.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 430 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 195 | THB191.752 | THB958.76 |
| 200 - 395 | THB186.958 | THB934.79 |
| 400 + | THB184.082 | THB920.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5107
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-38-856
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUM60020E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SUM60020E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151.2nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.41mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SUM60020E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151.2nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.41mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Maximum 175 °C junction temperature
Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SUM60020E Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60020E-GE3
- Vishay SUP60020E Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60020E-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60061EL-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM90100E-GE3
- Vishay SUM40012EL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SUM40012EL-GE3
- Vishay SUM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263-7L SUM70042M-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SUM70030M-GE3