Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5094
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS60DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB414.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB443.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB41.43	THB414.30
750 - 1490	THB40.394	THB403.94
1500 +	THB39.773	THB397.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5094
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS60DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	181.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SiSS60DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.01mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	57nC
	Maximum Power Dissipation Pd	65.8W
	Forward Voltage Vf	0.68V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.3mm
	Height	0.78mm
	Width	3.3 mm
	Distrelec Product Id	304-32-536
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 181.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SiSS60DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.01mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 57nC
	Maximum Power Dissipation Pd 65.8W
	Forward Voltage Vf 0.68V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.3mm
	Height 0.78mm
	Width 3.3 mm
	Distrelec Product Id 304-32-536
	Automotive Standard No

Datasheet SISS60DN-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

SKYFET® with monolithic Schottky diode

Optimized RDS x Qg and RDS x Qgd FOM enable higher efficiency for high frequency switching

Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง