Vishay SiHG039N60EF Type N-Channel MOSFET, 61 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 SIHG039N60EF-GE3
- RS Stock No.:
- 188-4985
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG039N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB263.37
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB281.81
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 6 | THB263.37 |
| 7 - 12 | THB256.78 |
| 13 + | THB252.82 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4985
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG039N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 61A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SiHG039N60EF | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 84nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 357W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 20.82mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 61A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SiHG039N60EF | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 84nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 357W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 20.82mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard No | ||
EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
APPLICATIONS
Server and telecom power supplies
Switch mode power supplies (SMPS)
Power factor correction power supplies (PFC)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHG039N60EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS4510TRLPBF
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP61N20
- onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS FD Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP220N25NFDAKSA1
- Vishay Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin Super-247