onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP61N20

RS Stock No.:: 671-4859
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP61N20
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP61N20

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB70.59

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB75.53

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

9 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 584 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB70.59
13 - 24	THB68.83
25 +	THB67.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 671-4859
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDP61N20
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	61A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Package Type	TO-220
	Series	UniFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	41mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	417W
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	58nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.67mm
	Width	4.83 mm
	Height	9.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 61A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Package Type TO-220
	Series UniFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 417W
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.67mm
	Width 4.83 mm
	Height 9.4mm
	Automotive Standard No

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.

UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi UniFET Type N-Channel MOSFET, 61 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FDP61N20

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง