Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS862ADN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-4951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS862ADN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB660.725
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB706.975
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 8,900 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB26.429 | THB660.73 |
| 750 - 1475 | THB25.769 | THB644.23 |
| 1500 + | THB25.372 | THB634.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4951
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIS862ADN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 52A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | SiS862ADN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 39W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.07mm | |
| Length | 3.15mm | |
| Width | 3.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Distrelec Product Id | 304-38-850 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 52A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series SiS862ADN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 39W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.07mm | ||
Length 3.15mm | ||
Width 3.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Distrelec Product Id 304-38-850 | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212