Vishay SiSS26LDN Type N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Stock No.:
- 188-4901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS26LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB68,340.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB73,110.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB22.78 | THB68,340.00 |
| 6000 - 9000 | THB22.097 | THB66,291.00 |
| 12000 + | THB21.434 | THB64,302.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-4901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS26LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 81.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SiSS26LDN | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.3 mm | |
| Height | 0.78mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 81.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SiSS26LDN | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.3 mm | ||
Height 0.78mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiSS26LDN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS26LDN-T1-GE3
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSHA10DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212