N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS26LDN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-4901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS26LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS26LDN-T1-GE3

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (On a Reel of 3000)**

THB20.822

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ขออภัย เราไม่สามารถตรวจสอบสต็อคสินค้าได้ในเวลานี้ โปรดรีเฟรชเพจอีกครั้ง

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

Units	ต่อหน่วย	ต่อม้วน**
3000 - 3000	THB20.822	THB62,466.00
6000 - 9000	THB20.198	THB60,594.00
12000 +	THB19.592	THB58,776.00

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-4901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SISS26LDN-T1-GE3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: Vishay

Datasheet SISS26LDN-T1-GE3

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	81.2 A
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Package Type	PowerPAK 1212-8S
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	6.2 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Power Dissipation	57 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Width	3.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	31.5 nC @ 10 V
Length	3.3mm
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	0.78mm

N-Channel MOSFET, 81.2 A, 60 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S Vishay SISS26LDN-T1-GE3

ฟรี ค่าจัดส่งสำหรับการสั่งซื้อมากกว่า THB3,500.00 (ไม่รวมภาษี)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง